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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
Features
· 25V/60A,
RDS(ON)=4.5mW (Typ.)@VGS=10V
RDS(ON)=7.5mW (Typ.) @VGS=4.5V
· Super HighDense CellDesign
· Reliable and Rugged
· AvalancheRated
· Lead Free andGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)
Applications:
· Power Management in Desktop Computer or
DC/DC Converters
产品型号:APM2558NU
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):60
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057@VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):2800
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150
描述:25V,60A N-Channel Enhancement Mode MOSFET
产品型号:APM2556NU
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):60
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057@VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):2900
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150
描述:25V,60A N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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