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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:APM8001K
源漏极间雪崩电压VDSS(V):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.072
漏极电流Id(on)(A):4.1
通道极性:双N沟道
封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150
描述:80V,4.1A Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
产品型号:APM4340K
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0045
漏极电流Id(on)(A):17
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150
描述:30V,17A N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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