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深圳市金城微零件有限公司
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产品分类
优势库存(1993)普通库存(6741)电源IC(232)二极管(69)三极管(83)场效应管MOSFET(967)光电子/光纤/激光(3)
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产品信息
产品型号:NTD60N02RT4G
Features
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss
• Low Ciss to Minimize Driver Loss
• Low Gate Charge
• Optimized for High Side Switching Requirements in
High−Efficiency DC−DC Converters
• Pb−Free Packages are Available
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):62
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0105 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):58
极间电容Ciss(PF):1330
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~175
描述:62 A, 24 V, N−Channel, DPAK
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