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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
IRF9510,TO-220,IR,SMD/MOS,-100V,-4A,P场,1.2Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=-250µA | -100 | V |
| Continuous drain current | ID | TC=25℃ | -4 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | -16 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 43 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=-250µA | -4 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=-4A, RGS=25Ω | 200 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=-2.4A | 1.2 | Ω |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=25V, f=1MHz | 200 | PF |
| Transconductance | gfs | VDS=50V,ID =-2.4A | 22 | S |