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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:CED41A2
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):36
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 4.5V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):43
极间电容Ciss(PF):2100
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：15
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:20V,36A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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