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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
| 型 号：BSC046N02KSG | ||||
| 标 记: 046N02KS | ||||
| 类 型：场效应管 | ||||
| 通道极性: N通道 | ||||
| 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
| 备 注： | ||||
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 20 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 80 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 200 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 151 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±12 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 48 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=110µA | 1.2 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=4.5V, ID=50A | 4.6 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=37.5V, f=1MHz | 3100 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A | 140 | S |
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