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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:STP9NC60
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):9
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):125
输入电容Ciss(PF):1400 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):850
导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ.
上升时间Tr(ns):15 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ.
下降时间Tf(ns):30 typ.
温度(℃): -65 ~150
描述:600V,9A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET
产品特点：
.极高dv / dt能力
.100％的雪崩测试
.新的高压基准
.栅极电荷化
应用范围：
.大电流，高开关速度
.SWITH模式电源（SMPS）
.DC-AC转换器的焊接
.设备和不间断
.电源和电机驱动