深圳市金城微零件有限公司

19年

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IGBT GT30F122,30F121,30F122
IGBT GT30F122,30F121,30F122
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IGBT GT30F122,30F121,30F122

品牌/商标:

TOSHIBA/东芝

型号/规格:

GT30F121,TO-220F,07NPB,TOSHIBA,IGBT

种类:

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型:

N沟道

导电方式:

增强型

封装外形:

P-DIT/塑料双列直插

材料:

IGBT绝缘栅比极

耗散功率:

25W , 35W

漏极电流:

120A

产品信息

GT30F121,TO-220F,07NPB,TOSHIBA,IGBT GT30F122,TO-220F,07NPB,TOSHIBA,IGBT 原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话

MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源
TOSIBA MOSFET场效应管系列:
2SK2232  TOSHIBA TO-220F DIP/MOS N场 250000
2SJ439 03+ TOSHIBA SOT-252 SMD/MOS P场 125000
2SK4026 07NPB TOSHIBA TO-251 DIP/MOS N场 85000
2SK2399 07+ TOSHIBA TO-251 DIP/MOS N场 60000
2SK3403 02+ TOSHIBA TO-262 DIP/MOS 现货供应! 以优势说话 40000
2SK3407  TOSHIBA TO-220F DIP/MOS N场 40000
K3403 02+ TOSHIBA TO-262 DIP/MOS 现货供应! 以优势说话 40000
2SK3568 07NPB TOSHIBA TO-220F DIP/MOS N场 35000
2SK4012 06+NPB TOSHIBA TO-220F DIP/MOS N场 20000
2SJ377 07+ TOSHIBA SOT-252 SMD/MOS P场 10000
2SK2952 07+ TOSHIBA TO-220F DIP/MOS N场 9000
2SK2844 04+ TOSHIBA TO-220 DIP/MOS N场 8000
2SK4017 05+NPB TOSHIBA TO-251 DIP/MOS N场 1000
2SK2842 08+NPB TOSHIBA TO-220F DIP/MOS N场 1459
2SK1112  TOSHIBA TO-251 DIP/MOS N场 1137