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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:ISL9N306AS3ST
封装:SOT-263/D2PAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS =10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):125
极间电容Ciss(PF):3400
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,75A N-Channel 功率MOSFET
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