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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:TK75A06K3
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):4500
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):103
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,75A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS IV)
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