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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:IPG20N04S4L-07
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):7.2 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):65
极间电容Ciss(PF):3060
通道极性:双N
低频跨导gFS(s)：
温度(℃):-55 ~175
描述:40V,20A N-Channel OptiMOS?-T2 Power-Transistor
Features
? Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode
? AEC Q101 qualified
? MSL1 up to 260°C peak reflow
? 175°C operating temperature
? Green Product (RoHS compliant)
? 100% Avalanche tested
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