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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:TK15E60U
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):15
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):170
极间电容Ciss(PF):950
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：8.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):81
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,15A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)
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