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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:AP83T03GH-HF
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):60
输入电容Ciss(PF):1150 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：55
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ.
上升时间Tr(ns):86 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.
下降时间Tf(ns):14 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
特点:
低导通电阻
简单的驱动器要求
快速开关特性
符合RoHS及无卤素
应用:适用于低电压应用，如DC / DC转换器
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