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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:Si7170DP-T1-GE3
特点
* 无卤素
* TrenchFET Power MOSFET
* 100%的Rg测试
* 1005的雪崩测试
应用
* 低端笔记本电脑
* VRM POL
封装:QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0034 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.6
功率PD(W):48
输入电容Ciss(PF):4355 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：90
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):10 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,40A N-沟道增强型场效应晶体管