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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
2SK3797,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω
2SK3667,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,7.5A,1Ω
产品型号:2SK3667
特点
(1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 0.75 Ω (typ.)
(2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 5.5 S (typ.)
(3) 低漏电流: IDSS = 100uA (max) (VDS = 600 V)
(4) 增强模式: Vth = 2 to 4 V (VDS=10V,ID=1mA)
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):189
导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.
下降时间Tf(ns):35 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,7.5A N-沟道增强型场效应晶体管