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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:NTD85N02RT4
特点
* Pb−Free Packages are Available
* Planar HD3e Process for Fast Switching Performance
* Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss
* Low Ciss to Minimize Driver Loss
* Low Gate Charge
应用
* CPU主板Vcore应用
* 高频率DC-DC转换器
* 电机驱动器
* 桥电路
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):85
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0052 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):78.1
输入电容Ciss(PF):2050 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：38
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):85
导通延迟时间Td(on)(ns):6.3 typ.
上升时间Tr(ns):77 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ.
下降时间Tf(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:24V,85A N-沟道增强型场效应晶体管
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