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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:STP27N3LH5
特点
* RDS(ON)Qg和行业基准
* 极低的导通电阻RDS(on)
* 极低的开关栅极电荷
* 高雪崩坚固耐用
* 低栅极驱动器的功率损耗
应用
* 开关应用
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±22
漏极电流Id(A):27
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1 MIN.
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):475 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):50
导通延迟时间Td(on)(ns):4 typ.
上升时间Tr(ns):22 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):13 typ.
下降时间Tf(ns):2.8 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,27A N-沟道增强型场效应晶体管
This STripFE V Power MOSFET technology is among the latest improvements,
which have been especially tailored to achieve very low on-state
resistance providing also one of the best-in-class figure of merit (FOM).
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)