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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:CMB7N60
封装:SOT-263
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7
产品型号:KIA7N60HB
封装:SOT-263
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7.4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):142
输入电容Ciss(PF):1130 typ.
通道极性:N沟道
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):580
导通延迟时间Td(on)(ns):70 typ.
上升时间Tr(ns):170 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):140 typ.
下降时间Tf(ns):130 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,7A N-沟道增强型场效应晶体管