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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:CMU2N60
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):220 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):120
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管
产品型号:KIA2N60HU
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):54
输入电容Ciss(PF):330 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):48
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管