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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
AO3434(带二极静电保护）
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
The AO3434 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected.Standard Product AO3434 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
VDS(V) = 30V
ID = 4.2A (VGS= 10V)
RDS(ON) < 52m Ω (VGS = 10V)
RDS(ON) < 75mΩ (VGS= 4.5V)
AO3438
N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeatures
VDS= 20V
ID = 3A (VGS= 4.5V)
RDS(ON) < 62mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 70mΩ (VGS= 2.5V)
RDS(ON) < 85mΩ (VGS= 1.8V)