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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:STF23NM60N
1.特点
* 100％的雪崩测试
* 低输入电容和闸电荷
* 低栅极输入电阻
2.应用
* 开关应用
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):19
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.18 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):2050 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：17
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):700
导通延迟时间Td(on)(ns):25 TYP.
上升时间Tr(ns):15 TYP.
关断延迟时间Td(off)(ns):90 TYP.
下降时间Tf(ns):36 TYP.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,19A N-沟道增强型场效应晶体管
此系列器件设计采用第二代MDmes技术。这一革命性的功率MOSFET联营公司的带布局的一个新的垂直结构，得出一个世界上的导通电阻和栅极电荷。因此，适用于苛刻的高效率转换器。
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)