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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
IRFZ44ZPBF IR TO-220 08NPB DIP/MOS N场 55V 51A 13.9mΩ
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=250µA | 55 | V |
| Continuous drain current | ID | TC=25℃ | 51 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 200 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 80 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 4 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=31A, RGS=25Ω | 86 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=31A | 13.9 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=25V, f=1MHz | 1420 | PF |
| Transconductance | gfs | VDS=25V, ID =31A | 22 | S |