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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:SiR472DP
特点
* 无卤素
* TrenchFET功率MOSFET
* 低热阻低1.07 mm外形的PowerPAK封装
* 优化的高侧同步整流的运作
* 100%的Rg测试
* 100%的UIS测试
应用
* 笔记本CPU
* 高边开关
封装:PowerPAK SO-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):29.8
输入电容Ciss(PF):820 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：52
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):24
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
上升时间Tr(ns):12 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,20A N-沟道增强型场效应晶体管
