600V 场效应管 FTA04N60 FTA02N60_深圳市金城微零件有限公司

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产品分类

供应 600V 场效应管 FTA04N60 FTA02N60

型号/规格：

FTA04N60 IPS TO-220F DIP/MOS N场 600 4 2.2Ω

品牌/商标：

IPS

封装形式：

TO-220F

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

单件包装

询价

产品信息

产品型号:FTA04N60

源漏极间雪崩电压VBR(V):600

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2

漏极电流Id(on)(A):4

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150

描述:600 V, 4A 功率MOSFET

产品型号:FTA02N60

源漏极间雪崩电压VBR(V):600

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4.4

漏极电流Id(on)(A):2.2

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150

描述:600 V, 2.2A 功率MOSFET

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二极管(69)

三极管(83)

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光电子/光纤/激光(3)

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