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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:CSD17307
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0084
漏极电流Id(on)(A):73
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):P-TDSON-8 4/-55 ~150
描述:30 V, 73A 功率MOSFET
产品型号:CSD17310
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0039
漏极电流Id(on)(A):100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):P-TDSON-8 4/-55 ~150
描述:30 V, 100A 功率MOSFET