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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号AOT470
源漏极间雪崩电压VBR(V):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0105
漏极电流Id(on)(A):100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150
描述:75 V, 100A 功率MOSFET
产品型号AOT460
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075
漏极电流Id(on)(A):85
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150
描述:60V, 85A 功率MOSFET