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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:AOD480
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.023
漏极电流Id(on)(A):25
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 4/-55 ~150
描述:30 V, 25A 功率MOSFET
产品型号:AOD484
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015
漏极电流Id(on)(A):25
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 4/-55 ~150
描述:30 V, 25A 功率MOSFET