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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:KIA1N60
1.描述:
KIA1N60H是N-沟道增强型硅栅功率MOSFET,专为高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，电磁阀，电机驱动器，继电器驱动器。
2。特点:
* 1A，600V，RDS（ON）=11.5Ω@ VGS= 10 V
* 低栅极电荷（typ.5.0nC）
* 高耐用性
* 快速开关能力
* 指定的雪崩能量
* 改进dv/dt能力
封装:TO-92
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):0.3
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):11.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):1
输入电容Ciss(PF):120 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):33
导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ.
上升时间Tr(ns):21 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):130 typ.
下降时间Tf(ns):27 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,0.3A N-沟道增强型场效应晶体管
产品型号:BLV1N60
1.描述
这种先进的高电压MOSFET,采用上海贝岭的专有的DMOS技术。专为高效率开关模式电源。
2。特点
* 雪崩能量
* 快速开关
* 简单的驱动要求
封装:TO-92
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):3
输入电容Ciss(PF):105 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):3.5
导通延迟时间Td(on)(ns):30
上升时间Tr(ns):60
关断延迟时间Td(off)(ns):45
下降时间Tf(ns):75
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
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