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KIA20N50HF,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,20A,0.24Ω

KIA20N50H N沟道增强模式硅栅功率MOSFET是专为高电压、高速度功率切换应用,如高效开关电源,有源功率因数校正。

2。特点
 * RDS（ON）=0.26Ω@ VGS= 10V
 * 低栅极电荷（typ70NC）
 * 快速开关能力
 * 指定的雪崩能量
 * 改进dv/dt能力

3.应用:
 * 开关稳压器
 * UPS（不间断电源）
 * DC-DC转换器

封装:TO-247

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):20

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.24 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):235

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管广泛应用于电池充电器，普通电源，UPS电源，开关电源，HID灯，逆变器，功率开关，节能灯镇流器，LED控制板，车载，电动玩具，遥控飞机船，电动车控制器，电脑主板显卡, 笔记本电脑等。