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深圳市金城微零件有限公司
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相关产品
产品信息
玩具飞机船场效应管(MOSFET):
CMU70N03L,Cmos,TO-251 ,30V ,70A ,0.007Ω
CMU06N03,Cmos,TO-251 ,30V ,80A ,0.0052Ω
CMU04N03L,Cmos,TO-251 ,30V ,80A ,0.0043Ω
CMU95N03,Cmos,TO-251 ,30V ,95A ,0.004Ω
可替换:
NTD4805N-1G,NTD4808N-1G,AOU414,AOU438,AP70T03J,FDU6296,FDU6644,FDU6680,FDU6692,IPS031N03LG,IPU04N03LA,IPU04N03LAG,IRFU3707Z,IRFU3709Z,IRLU7821,ISL9N308AD3,ISL9N312AD3,ME70N03P,NTD70N03R-001G,IRLU3103
应用:
高频负载点MB/ NB/ UMPC/ VGA的同步降压转换器
网络DC-DC电源系统
负荷开关
功率MOSFET驱动电路
功率MOSFET是电压型驱动器件,没有少数载流子的存贮效应,输入阻抗高,因而开关速度可以很高,驱动功率小,电路简单。但功率MOSFET的极间电容较大,输入电容CISS、输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为:
功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络,它的工作速度与驱动源内阻抗有关。由于 CISS的存在,静态时栅极驱动电流几乎为零,但在开通和关断动态过程中,仍需要一定的驱动电流。假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS,开关管的开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分。
开关管关断过程中,CISS通过ROFF放电,COSS由RL充电,COSS较大,VDS(T)上升较慢,随着VDS(T)上升较慢,随着VDS(T)的升高COSS迅速减小至接近于零时,VDS(T)再迅速上升。
根据以上对功率MOSFET特性的分析,其驱动通常要求:触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度;②开通时以低电阻力栅极电容充电,关断时为栅极提供低电阻放电回路,以提高功率MOSFET的开关速度;③为了使功率MOSFET可靠触发导通,触发脉冲电压应高于管子的开启电压,为了防止误导通,在其截止时应提供负的栅源电压;④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流,功率管极间电容越大,所需电流越大,即带负载能力越大。
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