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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
MDD5N50TH，SOT-252，MagnaChip/美格纳，SMD/MOS，N场，500V，4.4A，1.4Ω
CMD5N50，SOT-252，Cmos，SMD/MOS，N场，500V，4.5A，1.5Ω
产品型号:MDD5N50
1.概述
MDD5N50使用MagnaChip公司先进的MOSFET技术，可提供低导通电阻，高开
关性能和优良的品质。
MDD5N50是合适的设备，开关电源，HID和一般用途的应用。
2.应用
* 电源供应器
* PFC
* 压载
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):4.4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):70
输入电容Ciss(PF):500 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):230
导通延迟时间Td(on)(ns):12 TYP.
上升时间Tr(ns):24 TYP.
关断延迟时间Td(off)(ns):24 TYP.
下降时间Tf(ns):22 TYP.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
产品型号:CMD5N50
1.概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用了先进的技术，特别是针对已
限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和换向模式。这些器件非常适用于高效率开关模式电源，功率因数校正和电
子镇流器基于半桥。
2.应用
* 电源供应器
* PFC
* 压载
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):4.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):500
导通延迟时间Td(on)(ns):15 TYP.
上升时间Tr(ns):40 TYP.
关断延迟时间Td(off)(ns):85 TYP.
下降时间Tf(ns):45 TYP.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,4.5A N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)