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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:FDD8451
概述
N-沟道MOSFET而专门设计的，以提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或传统开关PWM控制器。
它已被优化的低门电荷，快速开关速度和非常低的RDS（ON）。
应用
* DC / DC变换器
* 背光逆变器
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.024
漏极电流Id(on)(A):28
功率PD(W):30
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150
描述:40 V, 28A 功率MOSFET
特点:
* Max rDS(on)=24mΩ at VGS = 10V, ID = 9A
* Max rDS(on)=30mΩ at VGS = 4.5V, ID = 7A
* 低栅极电荷
* 快速开关
* 高性能沟槽技术非常低RDS（ON）
* RoHS标准
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