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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:AOP605
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028
漏极电流Id(on)(A):7.5/-6.6
通道极性:N+P沟道
封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150
描述:30V 7.5A /-30V -6.6A功率MOSFET
产品型号:AOP600
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028
漏极电流Id(on)(A):7.5/-6.6
通道极性:N+P沟道
封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150
描述:30V 7.5A / -30V,-6.6A功率
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产品型号:AOP607
源漏极间雪崩电压VDSS(V):60
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.056
漏极电流Id(on)(A):4.7A
通道极性:N+P沟道
封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150
描述:60V 4.7A/-60V -3.4A功率