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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:FQP3N80
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800
夹断电压VGS(V):± 30
漏极电流Id(on)(A):3
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):107
极间电容CISS(PF):690
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:800V 3A N-Channel MOSFET
产品型号:FQP6N80C
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(on)(A):5.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.5
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):158
极间电容CISS(PF):1310
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:800V N-Channel MOSFET
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