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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:NDB6030PL
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
漏极电流Id(A):-30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025
开启电压VGS(TH)(V):-2
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:-30V -30A P-Channel MOSFET
产品型号:NDB6020P
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
漏极电流Id(A):-24
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05
开启电压VGS(TH)(V):-1
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:-20V, -24A P-Channel MOSFET
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