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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:AOTF10N65
概述
该AOT10N65和AOTF10N65制作采用了先进的高电压MOSFET的制造过程，目的是在流行
的AC-DC应用提供高水平的性能和稳健性。通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和
Crss一起雪崩能力保证这些部件可以通过迅速进入新的和现有的离线电源设计
应用范围：
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* HID灯
* 节能灯镇流器
* 逆变器
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):1369 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)13
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):347
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
上升时间Tr(ns):61 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):74 typ.
下降时间Tf(ns):53 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,10A 1Ω N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)