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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:AOTF13N50
概述
该AOT13N50和AOTF13N50已制作采用了先进的高电压MOSFET的过程，目的是在热门的
AC-DC应用提供高水平的性能和鲁棒性。
通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss一起雪崩能力保证这些部件可以通过迅
速进入新的和现有的离线电源设计。
应用范围：
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* HID灯
* 节能灯镇流器
* 逆变器
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):13
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.51 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):1361 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)16
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):908
导通延迟时间Td(on)(ns):29 typ.
上升时间Tr(ns):69 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):82 typ.
下降时间Tf(ns):55.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,13A 0.51Ω N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)