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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:AP70T03GJ
特点：
* 低栅极电荷
* 单驱动器要求
* 符合RoHS及无卤素
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):60
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.009 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):53
输入电容Ciss(PF):1485 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：35
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
上升时间Tr(ns):105 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ.
下降时间Tf(ns):9 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,60A N-沟道增强型场效应晶体管
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