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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:AP9972GP
特点：
* 低栅极电荷
* 单驱动器要求
* 符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):60
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.018 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):89
输入电容Ciss(PF):3170 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：55
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45
导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.
上升时间Tr(ns):58 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ.
下降时间Tf(ns):80 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,60A N-沟道增强型场效应晶体管
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