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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:CS1N60A3H
概述：
硅CS1N60A3H，N-沟道的增强VDMOSFETs，是通过以下方式获得的自对准的平面技术
，能够降低导通损耗，提高开关性能和增强的雪崩能量。的晶体管可以使用在各种
电源的开关电路，用于系统的小型化和更高的效率。封装形式为TO-251，
符合RoHS标准。
产品特点：
* 开关速度快
* 低导通电阻（导通电阻≤15Ω）
* 低栅极电荷（典型数据：5.0nC）
* 低反向传输电容（典型：2.7pF）
* 100％的单脉冲雪崩能量测试
应用范围：
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* 符合RoHS标准
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):0.8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):30
输入电容Ciss(PF):92 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60
导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.
上升时间Tr(ns):26 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.
下降时间Tf(ns):27 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,0.8A N-沟道增强型场效应晶体管
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