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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:STP3NK60ZFP
特点：
* 典型的RDS（ON）=3.3Ω
* 极高dv/dt能力
* 100％的雪崩测试
* 栅极电荷化
* 非常低的固有电容
* 制造重复性非常好
说明
超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻
显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为苛刻的应用。这种充满
了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。
应用
* 大电流，高开关速度
* 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC
* 照明
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):2.4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):20
输入电容Ciss(PF):311 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：1.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273
导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.
上升时间Tr(ns):14 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ.
下降时间Tf(ns):14 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,2.4A N-沟道增强型场效应晶体管
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