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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:STP5NK50Z
特点：
* 典型的RDS（ON）=1.22Ω
* 极高dv/dt能力
* 100％的雪崩测试
* 栅极电荷化
* 非常低的固有电容
* 制造重复性非常好
说明
超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻
显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为苛刻的应用。这种充满
了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。
应用
* 大电流，高开关速度
* 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC
* 照明
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):4.4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):70
输入电容Ciss(PF):535 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3.1
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):130
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):10 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):32 typ.
下降时间Tf(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管
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