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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
2SK2623A-MG-E,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1.5A,5.5Ω
产品型号:2SK2623
特点:
* 低导通电阻。
* 低Qg。
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):1.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5.5
功率PD(W):30
输入电容Ciss(PF):300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：1
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.
上升时间Tr(ns):12 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.
下降时间Tf(ns):17 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,1.5A N-沟道增强型场效应晶体管
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