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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:TPCA8025
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)
Applications/应用
* Lithium-Ion Battery Applications/锂离子电池应用
* Notebook PCs/笔记本电脑应用
* Portable Equipment Applications/便携式设备的应用
Features
* 超薄小体积封装
* 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 2.7 mΩ (typ.)
* 高正向转移导纳: |Yfs| = 80S (typ.)
* 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)
* 增强模式: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
封装:PSOP-8
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0035 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):2200 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：80
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):208
导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ.
上升时间Tr(ns):12 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):74 typ.
下降时间Tf(ns):23 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TPCA8025,30V,40A N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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