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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
2SK4070,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1A,11Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管
应用:
* 开关
特点:
* 低栅极电荷：QG = 5 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 1.0 A)
* 门额定电压：±30 V
* 低通态电阻: RDS(on) = 11 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 0.5 A)
* 雪崩能力评级
产品型号:2SK4070
封装:TO-251
品牌：NEC
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):11 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.5
功率PD(W):22
输入电容Ciss(PF):110 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):38.4
导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ.
上升时间Tr(ns):6 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.
下降时间Tf(ns):18 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK4070,600V,1A N-沟道增强型场效应晶体管
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