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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
2SK3325,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,10A,0.85Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管
应用:
* 开关
* 工业用
特点:
* 低栅极电荷:QG =22 nC的TYP。 (VDD= 400 V,VGS= 10V,ID =10 A)
* 门额定电压:±30 V
* 低通态电阻: RDS(ON)=0.85 W MAX。 (VGS =10 V,ID =5.0 A)
* 雪崩能力评级
* TO-220AB,TO-262,TO-263封装
产品型号:2SK3325
封装:TO-220
品牌:RENESAS/瑞萨
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.5
功率PD(W):85
输入电容Ciss(PF):1200 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):4.0
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):10.7
导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.
上升时间Tr(ns):11 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.
下降时间Tf(ns):9.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SKV,10A N-沟道增强型场效应晶体管
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