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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω,带二极管保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)
应用:
* 开关稳压器应用
特点:
* 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.54Ω（典型值）
* 高正向传输导纳：|YFS|= 5.2 S（典型值）
* 低漏电流IDSS= 100uA（值）（VDSS= 600 V）
* Enhancementmode：VTH= 3.0--5.0 V（VDS =10V，ID= 1毫安）
产品型号:2SK3399
封装:SOT-263
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):100
输入电容Ciss(PF):1750 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):363
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):40 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):8 typ.
下降时间Tf(ns):35 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK3399,600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
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