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2SK4212-ZK-E1,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,48A,0.0078Ω

开关
N沟道功率MOSFET

2SK4212是N沟道MOSFET器件,具有低通态电阻和优良的开关特性，专为低电压高电流的应用

，如同步整流DC/ DC转换器。

特点:
 * 低通态电阻:
             RDS(on)1 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)
             RDS(on)2 = 14 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 20 A)
 * 低总栅极电荷:
             QG = 27 nC TYP. (VDD = 15 V, VGS = 10 V, ID = 30 A)
 * 4.5 V可驱动
 * 额定的雪崩能力）

产品型号:2SK4212 N沟道功率MOSFET

封装:SOT-252

品牌：NEC

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):48

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0078 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):35

输入电容Ciss(PF):1200 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：22

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):28.9

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

上升时间Tr(ns):14 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ.

下降时间Tf(ns):11 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SK4212-ZK-E1,N场,25V,48A N-沟道增强型场效应晶体管

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