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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:TK150F04K3
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV)
应用:
* 开关稳压器，DC-DC转换器应用
* 电机驱动应用
特点解：
* 低漏源导通电阻RDS（ON）=1.7mΩ（TYP.）
* 高正向转移导纳：｜YFS｜=210 S（TYP.）
* 低漏电流IDSS=10μA（值）（VDS= 40 V）
* 增强模式：VTH =3.0--4.0 V（VDS=10V，ID= 1 mA）
封装:SOT-263
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):150
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0021 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):300
输入电容Ciss(PF):7500 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：210
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):234
导通延迟时间Td(on)(ns):48 typ.
上升时间Tr(ns):32 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.
下降时间Tf(ns):43 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:TK150F04K3,40V,150A N-沟道增强型场效应晶体管
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