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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
IPP80P03P4L-07,TO-220,DIP/MOS,P场,-30V,-80A,0.0072Ω
OptiMOS-P2 Power-Transistor
特点
* P-沟道增强模式 - 逻辑电平 -
* AEC资格
* MSL1高达260℃峰值回流
* 175°C的工作温度
* 绿色封装（符合RoHS）
* 100％的雪崩测试
* 拟反向电池保护
产品型号:IPP80P03P4L-07
封装:TO-220
品牌：INFINEON/英飞凌
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):+5/-16
漏极电流Id(A):-80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0072 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2
功率PD(W):88
输入电容Ciss(PF):4400 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):135
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
上升时间Tr(ns):4 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
下降时间Tf(ns):60 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:IPP80P03P4L-07,-30V,-80A P-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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